型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 1个N沟道和1个P沟道 20V 3.2A 5.1A61395+￥3.708525+￥3.433850+￥3.2415100+￥3.1591500+￥3.10412500+￥3.03545000+￥3.008010000+￥2.9668 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.6 V77195+￥2.972725+￥2.752550+￥2.5984100+￥2.5323500+￥2.48832500+￥2.43325000+￥2.411210000+￥2.3782 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) IPZ40N04S55R4ATMA1 TSDSON-8-3211165+￥3.543825+￥3.281350+￥3.0975100+￥3.0188500+￥2.96632500+￥2.90065000+￥2.874410000+￥2.8350 -
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品类: MOS管描述: TSDSON P-CH 30V 39.6A87045+￥2.500225+￥2.315050+￥2.1854100+￥2.1298500+￥2.09282500+￥2.04655000+￥2.027910000+￥2.0002 -
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品类: MOS管描述: N沟道 120V 37A84405+￥4.823625+￥4.466350+￥4.2161100+￥4.1090500+￥4.03752500+￥3.94825000+￥3.912410000+￥3.8588 -
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品类: MOS管描述: TSDSON N-CH 30V 12A280110+￥1.151650+￥1.0918100+￥1.0492300+￥1.0236500+￥0.99801000+￥0.97242500+￥0.93405000+￥0.9255 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ060NE2LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.005 ohm, 10 V, 2 V10205+￥1.722625+￥1.595050+￥1.5057100+￥1.4674500+￥1.44192500+￥1.41005000+￥1.397210000+￥1.3781 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ067N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V198110+￥7.3944100+￥7.0247500+￥6.77821000+￥6.76592000+￥6.71665000+￥6.65507500+￥6.605710000+￥6.5810 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装48075+￥4.233625+￥3.920050+￥3.7005100+￥3.6064500+￥3.54372500+￥3.46535000+￥3.433910000+￥3.3869 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ050N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 1 V47825+￥3.298125+￥3.053850+￥2.8827100+￥2.8095500+￥2.76062500+￥2.69955000+￥2.675110000+￥2.6384 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ440N10NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.7 V19275+￥2.043925+￥1.892550+￥1.7865100+￥1.7411500+￥1.71082500+￥1.67305000+￥1.657810000+￥1.6351 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ22DN20NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V30095+￥3.149625+￥2.916350+￥2.7529100+￥2.6830500+￥2.63632500+￥2.57805000+￥2.554610000+￥2.5196 -
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品类: MOS管描述: IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能14945+￥5.690325+￥5.268850+￥4.9737100+￥4.8473500+￥4.76302500+￥4.65765000+￥4.615410000+￥4.5522 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ076N06NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.006 ohm, 10 V, 3 V35015+￥4.071625+￥3.770050+￥3.5589100+￥3.4684500+￥3.40812500+￥3.33275000+￥3.302510000+￥3.2573 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能362910+￥6.3576100+￥6.0397500+￥5.82781000+￥5.81722000+￥5.77485000+￥5.72187500+￥5.679510000+￥5.6583 -
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-835535+￥2.050725+￥1.898850+￥1.7924100+￥1.7469500+￥1.71652500+￥1.67855000+￥1.663310000+￥1.6405 -
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品类: MOS管描述: Infineon"s 250V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.59545+￥6.426025+￥5.950050+￥5.6168100+￥5.4740500+￥5.37882500+￥5.25985000+￥5.212210000+￥5.1408 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ067N06LS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.7 V44165+￥6.053425+￥5.605050+￥5.2911100+￥5.1566500+￥5.06692500+￥4.95485000+￥4.910010000+￥4.8427 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ097N04LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 8.1 mohm, 10 V, 1.2 V84565+￥1.979125+￥1.832550+￥1.7299100+￥1.6859500+￥1.65662500+￥1.61995000+￥1.605310000+￥1.5833 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V34135+￥3.469525+￥3.212550+￥3.0326100+￥2.9555500+￥2.90412500+￥2.83995000+￥2.814210000+￥2.7756 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ050N03MSGATMA1, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装53785+￥3.312925+￥3.067550+￥2.8957100+￥2.8221500+￥2.77302500+￥2.71175000+￥2.687110000+￥2.6503 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ018NE2LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2 V35525+￥5.772625+￥5.345050+￥5.0457100+￥4.9174500+￥4.83192500+￥4.72505000+￥4.682210000+￥4.6181 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ180P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V 新96105+￥2.627125+￥2.432550+￥2.2963100+￥2.2379500+￥2.19902500+￥2.15035000+￥2.130910000+￥2.1017 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ150N10LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V 新70055+￥5.891425+￥5.455050+￥5.1495100+￥5.0186500+￥4.93132500+￥4.82225000+￥4.778610000+￥4.7131 -
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品类: MOS管描述: IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能6023 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ165N04NS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V82575+￥3.631525+￥3.362550+￥3.1742100+￥3.0935500+￥3.03972500+￥2.97255000+￥2.945610000+￥2.9052 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能57775+￥2.268025+￥2.100050+￥1.9824100+￥1.9320500+￥1.89842500+￥1.85645000+￥1.839610000+￥1.8144
